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SiC MOSFET Halb- und H-Brücken-Leistungsmodule

Die neuen flowDUAL SiC E1 und fastPACK SiC E1/ E2 wurden mit dem Ziel entwickelt, Ladestationen schneller, kleiner und effizienter zu gestalten. Die Module basieren auf den neuesten 650V und 1200V SiC MOSFET Chip-Generationen mit einem RDS(on) von nur 5mOhm. Neben der Optimierung der Leistung legt Vincotech grossen Wert auf die Zuverlässigkeit. Mit der neuen fortschrittlichen Die-Attach-Technologie können diese neuen Module die Lebensdauer im Power Cycling um den Faktor 2 verlängern. Weitere Vorteile: Multisourced SiC-Komponenten für mehr Wahlfreiheit und weniger Risiko in der Lieferkette, optional integrierte Kondensatoren für verbesserte EMV-Leistung sowie Einpressstifte und vorapplizierte Wärmeleitpaste zur Reduzierung der Produktionskosten.

Elektron AG
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