n für ein breites Spektrum von Anwendungen und eignen sich sowohl für niedrige als auch für hohe Schaltfrequenzen. Diese neue Technologie bietet einen um 40 Prozent verbesserten RDS(on) und eine um über 50 Prozent niedrigere Gate-Ladung (Qg) im Vergleich zu den bisherigen StrongIRFETTM-Bauelementen. Die so generierte höhere Leistungseffi zienz sorgt für eine verbesserte Gesamtsystemleistung. Höhere Nennströme ermöglichen eine höhere Strombelastbarkeit. Damit ist es nicht mehr nötig, mehrere Bauelemente parallel zu schalten, was zu niedrigeren Stücklistenkosten und Einsparungen auf der Leiterplatte führt.
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