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Doppel-Gatetreiber optimieren und vereinfachen Schaltlösungen

Zwei neue zweikanalige, galvanisch isolierte Gatetreiber von STMicroelectronics für IGBTs respektive Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) sparen Platz und vereinfachen das Schaltungsdesign

in Leistungswandler- und IndustrieAnwendungen mit hohen Spannungen. Der STGAP2HD für IGBTs und der STGAP2SICD für SiC-MOSFETs kommen dank neuester galvanischer Isolationstechnik von ST in einem Wide-Body-Gehäuse der Bauform SO-36W auf eine Kurzzeit-Spannungsfestigkeit von 6 kV. Die Beständigkeit gegen Spannungsflanken von bis zu ±100 V/ns verhindert ein unbeabsichtigtes Einschalten in Einsatzumgebungen mit hohem Aufkommen an elektrischen Störungen. Die Bauelemente können ein starkes Gate-Ansteuersignal von bis zu 4 A erzeugen, wobei die zwei Ausgangs-Pins für zusätzliche Flexibilität bei der Gate-Ansteuerung sorgen.

STMicroelectronics
39 Chemin du Champ des Filles, 1228 Plan-Les-Quates
Tel. 022 929 29 29, Fax 022 929 29 88
www.st.com