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Angebot an Galliumnitrid-(GaN-) HF-Leistungselektronik ausgebaut

Microchip Technology Inc. gibt eine Erweiterung seines Angebots an Galliumnitrid-(GaN-)HF-Leistungselektronik um neue MMICs und diskrete Transistoren bekannt, die Frequenzen bis zu 20 GHz abdecken.

Die Bausteine kombinieren eine hohe Leistungseffizienz (PAE; Power-Added Efficiency) und eine hohe Linearität, um ein neues Leistungsniveau in Anwendungen wie 5G, Satellitenkommunikation, kommerzielle und militärische Radarsysteme und Testgeräte zu erzielen. Wie alle GaN-HF-Leistungselektronik-Bauelemente von Microchip werden die neuen Bausteine in GaN-auf-Siliziumkarbid-Technologie gefertigt, mit der sich die beste Kombination aus hoher Leistungsdichte und Ausbeute sowie High-Voltage-Betrieb und einer Lebensdauer von mehr als 1 Million Stunden bei einer Sperrschichttemperatur von 255 °C erzielen lässt.

Microchip Technology Inc.
Karlsruher Strasse 91, DE-75179 Pforzheim
Tel. 0049 7231 424 750, Fax 0049 7231 424 7599
www.microchipdirect.com