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Mitsubishi LV100 und HV100 – Gehäuse mit 7. Chip-Generation verfügbar

elektron

Mitsubishi optimiert ihre Leistungsmodule: Durch die neue Gehäusetechnik werden die internen Induktivitäten auf ein Minimum reduziert (10 nH). Die IGBT-Module eignen sich für Bahnanwendungen mit Isolationsspannungen von 6kV und 10kV (VCES: 1700V, 3300V, 4500V, 6500V) und für industrielle Anwendungen mit Isolationsspannungen von 4kV (VCES: 1200V, 1700V).

Sie sind auch als SiC- Module erhältlich. Dank der optimierten Anordnung der Anschlüsse ist es einfach, Parallelschaltung und flexiblere Wechselrichterkonfigurationen mit mehreren Modulen aufzubauen.
Neben dem verbesserten thermischen Widerstand durch die MCB-Baseplate (Metal Casting direct Bonding), zeichnen sich die Module zudem durch eine höhere Resistenz gegen feuchte Umgebungen aus. Weitere Infos

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