Eine Publikation der Swissprofessionalmedia AG
Ausgabe 14/2020, 10.09.2020

Energieeffiziente SiC-MOS-FET-Serie von Rohm für weniger Schaltverlusten

Sechs Siliziumkarbid-MOSFETs mit Trench-Gate-Struktur (650V / 1200V) bilden die SCT3xxx xR Serie von Rohm. Ihr vierpoliges Gehäuse (TO-247-4L) maximiert die Schaltleistungen und reduziert die Schaltverluste um bis zu 35 Prozent gegenüber konventionellen dreipoligen Gehäusen (TO-247N). Die Sic-MOSFETs eignen sich besonders für den energieeffizienten Einsatz bei Serverstromversorgungen, USV-Systemen, Solarwechselrichtern und EV-Ladestationen. Durch den Einsatz des TO-247-4L-Gehäuses werden die Treiber- und Strom- quellen-Pins getrennt, was die Auswirkungen der parasitären Induktivitätkomponente minimiert. Das trägt zu einem spürbar geringeren Stromverbrauch bei und ist vor allem für Hochleistungsanwendungen interessant.   

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