Eine Publikation der Swissprofessionalmedia AG
Ausgabe 08/2020, 27.05.2020

MOSFETs für Anwendungen mit extrem hoher Leistungsdichte

Mit drei neuen n-Kanal MOSFETs hat der Halbleiterhersteller MaxPower Semiconductor sein Portfolio an hochwertigen Leistungskomponenten erweitert. Die Transistoren mit den Typenbezeichnungen MXP401F1P0BGL, MXP60F2P0EGC und MXP60F2P2FGC bieten Entwicklern von Umrichtern für Elektrowerkzeugen (Power Tools), DC/DC-Wandlern oder Netzteilen mit Synchrongleichrichter neue Möglichkeiten zur Steigerung der Leistungsdichte. Die niedrigen Durchlass- und Schaltverluste ermöglichen in Kombination mit der Möglichkeit zur doppelseitigen Kühlung das Design extrem effizienter und kompakter Schaltungen. Alle drei Leistungs-MOSFETs werden in einer von MaxPower entwickelten und geschützten neuen Trench-Technologie gefertigt.    

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