Der NPN-Silizium-Niederfrequenz-Transistor BC817K von Diotec im SOT-23-Gehäuse ist ein gleichwertiger Ersatz für den abgekündigten BC817K von Infineon. Mit einer Verlustleistung von 500 mW, einem hohen Kollektorstrom von 500 mA, einem Kollektor-Spitzenstrom von bis zu 1 A sowie einer Stromverstärkung zwischen 100 (BC817K-16) und 630 (BC817K-40), gemessen bei 100 mA, ist der BC817K ideal für Niederfrequenz-Applikationen. Der oberflächenmontierbare Transistor punktet zudem mit einer geringen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 0,7 V, gemessen mit Impulsen von 300 μs und einem Schaltverhältnis unter 2 %. Sein SOT-23-Kunststoffgehäuse ist RoHS-konform.
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