Der 1700-V-SiC-MOSFET «LSIC1MO170E1000» ist eine leistungsstarke Ergänzung der bereits erhältlichen 1200V-SiC-MOSFETS und Schottky-Dioden. Nutzer profitieren damit von kompakteren, energieeffizienteren Systemen und einer möglichen Senkung der Gesamtbetriebskosten. Im Vergleich zu ähnlich ausgelegten Si-IGBTs bietet der LSIC1MO170E1000 SiC-MOSFET eine Reihe von Optimierungsmöglichkeiten auf Systemebene. Dazu gehören verbesserte Effizienz, höhere Leistungsdichte, geringerer Kühlbedarf und potenziell niedrigere Kosten auf Systemebene. Zusätzlich bieten alle diese SiC-MOSFETs im Vergleich zu anderen marktführenden SiC-MOSFETs eine gleichwertige Leistung.
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