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600-V-Leistungs-MOSFETs mit hoher Energieeffizienz

Der SiHP065N60E aus der Vishay E-Serie bietet einen geringen On-Widerstand von nur 0,065 Ω (max.) bzw. 0,057 Ω (typ.) bei 10 V Gate-Spannung, sowie eine geringe Gate-Ladung von nur 49 nC. Der Hersteller gibt die FOM-Spezifikation (Figure of Merit = Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand) mit nur 2,8 Ω × nC an. Die niedrigen effektiven Ausgangskapazitäten Co(er) und Co(tr) von 93 bzw. 593 pF tragen zusätzlich zum hervorragenden Schaltverhalten des SiHP065N60E bei. Die geringeren Durchlass- und Schaltverluste führen zu Energieeinsparungen in Leistungsfaktorkorrektur- und steilflankig schaltenden DC/DC-Wandlerstufen von Telekom-, industriellen und gewerblichen Stromversorgungssystemen. Der MOSFET kommt im TO-220AB-Gehäuse und ist RoHS-konform sowie halogenfrei.

 

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