Eine Publikation der Swissprofessionalmedia AG
Ausgabe 15/2017, 21.09.2017

DC/DC-Wandler für die nächste SiC-MOSFET-Generation

Hohe Schaltfrequenzen und -spannungen stellen eine der grössten Herausforderungen bei der Ansteuerung von SiC-MOSFETs dar. Extreme Potenzialunterschiede zwischen Steuerung und Leistungskreis können die Isolation mürbe machen und zu Fehlfunktionen führen. Um diesen harten Anforderungen zu entsprechen, gibt es eine 2-W-DC/DC-Wandlerserie, welche speziell für die Versorgung der neuesten SiC-MOSFET-Generation entwickelt wurde.

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