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IGBTs mit dünnerer Zellenstruktur für hohe Schaltungseffizienz

In den 650-V-IGBTs kommt eine dünnere Waferstruktur im Verbund mit Field-Stop- und proprietären Trench-Gate-Technologien zum Einsatz, um ein Performance-Niveau nach dem Stand der Technik zu erreichen und der zunehmenden Forderung nach hohen Schaltfrequenzen nachzukommen. Die Reihe der 650-V-IGBTs umfasst in der Serie RGTV Typen für 30, 50 und 80 A und in der Serie RGW Ausführungen für 30, 40 und 50 A. Zur Auswahl stehen die Gehäusebauarten TO-247N und TO-3PFM. Während die Serie RGTV für Anwendungen vorgesehen ist, die nach erhöhter Kurzschlusssicherheit verlangen, ist die RGW-Serie mit ihrer niedrigen Gateladung und -kapazität sowie ihren geringen Schaltverlusten speziell für Wandler ausgelegt.

 

Rohm Semiconductor GmbH

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