Eine Publikation der Swissprofessionalmedia AG

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Ausgabe 04/2016, 03.03.2016

Verbessertes Schaltverhalten und bessere thermische Leitfähigkeit

Die MOSFET-Familie 650 V X2-Class mit Stromratings von 2 bis 120 A und einem RDS(on) von bis zu 24 mΩ basiert auf dem Superjunction-Prinzip, bei dem implantierte P-Streifen in der n-Driftzone des Chips eine Senkung des Durchlasswiderstands erlauben. Durch die Kombination aus verbessertem Schaltverhalten und thermischer Leitfähigkeit sind die X2-Class-MOSFETs auch im direkten Vergleich mit SiC-Lösungen wettbewerbsfähig. Sie sind erhältlich in TO-252, TO-220, TO-263, SOT-227, TO-247 und PLUS247 und eignen sich z. B. für hart oder resonant operierende Stromversorgungen, PFC, DC-DC Konverter, AC- und DC-Motorsteuerungen und Servos.

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