Vishay erweitert sein Angebot an Optoelektronik-Bausteinen um zwei neue 940-nm-Hochgeschwindigkeits-Infrarotsenderdioden in einem 3,2x2,51x1,2 mm grossen, transparenten SMD-Side-View-Gehäuse. Die auf GaAIAs-Oberflächenstrahler-Technologie basierende Diode VSMY14940 besitzt eine Strahlungsintensität von bis zu 82 mW/sr bei 70 mA Treiberstrom, eine Strahlungsleistung von 40 mW, Schaltzeiten von 10 ns und eine Durchlassspannung von 1,48 V. Die Diode VSMB14940 basiert auf der GaAIAs-MQW (Multi-Quantum-Well)-Technologie und ist für Anwendungen vorgesehen, die mit geringerer Strahlungsintensität auskommen. Sie besitzt eine Strahlungsintensität von 35 mW/sr, eine Strahlungsleistung von 28 mW, Schaltzeiten von 15 ns und eine Durchlassspannung von 1,33 V.
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