Der GT40WR21 eignet sich für Induktionsherde und andere Anwendungen, die spannungsresonante Schalteigenschaften erfordern. Der Integrierte Hoch-Temperatur-Leistungshalbleiter minimiert Bauteilanzahl und erfüllt Leistungsanforderungen neuester spannungsresonanter Wechselrichter.
Der GT40WR21 1800V n-Kanal RC-IGBT (Reverse Conducting IGBT) besteht aus einer Freilaufdiode, die monolithisch auf dem IGBT-Chip integriert ist. Das TO-247-kompatible Gehäuse TO-3P(N) misst nur 15,5 x 20,0 x 4,5 mm. Schnelles Schalten wird durch typische IGBT-Abfallzeiten von nur 0,15µs unterstützt.
Toshibas neuer RC-IGBT ist für einen Kollektorstrom von (IC) von 40 A ausgelegt und kann Spitzenströme bis 80 A für 1 ms handhaben. Die Sättigungsspannung bei 40 A beträgt typischerweise nur 2,9V. Die maximale Kollektor-Verlustleistung bei 25°C beträgt 375W. Die integrierte Diode ist für einen Durchlassstrom von 20 A und einen Spitzenstrom von 80A (für 100µs) ausgelegt.
Wie auch frühere Modelle in Toshibas n-Kanal IGBT-Serie unterstützt der GT40WR21 einen Betrieb bei hohen Temperaturen mit einer maximalen Sperrschichttemperatur (Tj) von 175 °C. Geringe Abschaltverluste garantieren einen hocheffizienten Betrieb.
