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Effizienzlevels für Solar-Inverter erreichen neue Dimensionen

Infineon Technologies präsentiert erstmals die neue Produktfamilie CoolSiC 1200V SiC JFET. In die neue, wegweisende Produktlinie fließt die mehr als zehnjährige SiC-Expertise von Infineon in der Technologie-Entwicklung und der qualitativ hochwertigen Volumen-Fertigung ein.

Die CoolSiC 1200V SiC JFETs weisen im Vergleich zu IGBTs geringere Schaltverluste auf. Damit sind höhere Schaltfrequenzen möglich, ohne die Gesamteffizienz eines Systems zu beeinträchtigen. Es können daher deutlich kleinere passive Komponenten eingesetzt werden: das erlaubt schmalere und leichtere Produktdesigns und senkt die Systemkosten. Alternativ kann im gleichen Gehäuse eine Lösung mit einer höheren Ausgangsleistung umgesetzt werden.

Damit die selbstleitende (normally-on) JFET-Technologie sicher und einfach zu nutzen ist, hat Infineon das Konzept der Direct Drive-Technologie entwickelt. Diese kombiniert den JFET mit einem externen Niederspannungs-MOSFETs und einem speziellen Treiber-IC. So kann das System sicher hochgefahren und schnell und kontrolliert geschaltet werden.

In den CoolSiC JFET ist eine monolithische Body Diode integriert. Das Schaltverhalten entspricht dem einer externen SiC-Schottky-Diode. Diese Kombination macht den CoolSiC JFET höchst effizient, zuverlässig, sicher und einfach einzusetzen.

Verfügbarkeit und Preise

Muster der CoolSiC JFET-Produkte und der Treiber-ICs sind im Laufe des 2. Quartal 2012 verfügbar.
www.infineon.com/coolsic