Der 500V CoolMOS CE von Infineon besitzt alle Vorteile von modernen Superjunction MOSFETs: geringer flächenspezifischer Einschalt-Widerstand, verringerte Schaltverluste und eine hohe Unempfindlichkeit der Body Diode. Im Vergleich zu herkömmlichen Standard MOSFETs bietet die neue CoolMOS CE-Produktfamilie dank der Superjunction-Technologie speziell im geringen Lastbereich einen besseren Wirkungsgrad und damit eine energie- und kosteneffiziente Alternative.
Der geringe flächenspezifische Einschalt-Widerstand (RDS(on)*A) sorgt für geringere Leitungsverluste, reduziert die in der Ausgangs-Kapazität (Eoss) gespeicherte Energie und minimiert Schaltverluste. Die niedrigere Gate-Ladung (Qg) verbessert den Wirkungsgrad im niedrigen Lastbereich, ohne den Wirkungsgrad unter Volllast zu beeinträchtigen. In Kombination mit der außergewöhnlichen Qualität und Zuverlässigkeit der CoolMOS-Technologie führt dies zu geringeren System- und Betriebskosten. Die hohe Unempfindlichkeit der Body Diode und die verringerte Speicherladung (Qrr) macht 500V CoolMOSTM CE-Produkte von Infineon ideal für resonant schaltende Anwendungen. Dank ihres gut zu steuernden Schaltverhaltens lassen sie sich einfach integrieren und bedienen.
Erste Muster der 500V CoolMOS CE-Produkte mit einem RDS(on) von 280mOhm, und 500mOhm im TO-220 Gehäuse sind ab sofort erhältlich. Ab Mai 2012 sind dann erste Muster der 500V-Produkte mit einem Rds(on) von 280 mOhm, 500 mOhm und 950 mOhm in den Gehäusen DPAK sowie TO-220 FullPAK erhältlich. Erste Auslieferungen an OEMs erfolgen voraussichtlich im Mai 2012.
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