Das TO-Leadless-Gehäuse von Infineon Technologies bietet neben einem reduzierten Package-Widerstand eine signifikante Verringerung der Grundfläche um 30 Prozent und ein verbessertes EMV-Verhalten. In dem Gehäuse verbirgt sich die aktuelle OptiMOS-MOSFET-Generation für Anwendungen mit hohen Anforderungen an Leistung und Zuverlässigkeit wie Gabelstapler, leichte Elektrofahrzeuge, elektronische Sicherungen (eFuse), Spannungsregler-Module (Point-of-Load-Converter) und Telekom-Systemen. Das Gehäuse wurde für hohe Stromstärken bis 300 A entwickelt. Dank seines reduzierten Package-Widerstands ermöglicht es den geringsten Durchlasswiderstand RDS(on) in allen Spannungsklassen. Das im Vergleich zu einem 7-poligen D-2PAK um 60 Prozent kleinere Gehäuse ermöglicht kompakte Designs.
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