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Ferroelektrische Speicher-Chips für industrielle Anwendungen

Eine hohe Speicherdichte von 1 bzw. 2 MBit zeichnet die FRAMs MB85RS1MT und MB85RS2MT von Fujitsu aus. Mit 10 Billionen (10¹³) garantierten Schreib-Lese-Zyklen und einer im Vergleich zu EEPROMs gleicher Speicherdichte um 92 Prozent niedrigere Energieaufnahme bei Schreiboperationen, sind die Speicher ideal für Anwendungen wie Smart Metering, industrielle Applikationen und medizinische Geräte wie Hörgeräte geeignet. Typischerweise bestehen Systeme aus EEPROM, SRAM und einer Batterie. Die FRAMs bündeln diese Funktionen auf einem Chip und erlauben so erhebliche Einsparungen bei den Bauteilekosten, beim Platzbedarf und beim Energieverbrauch. Das Ergebnis sind Systeme mit höherer Leistung, optimierter Datenpersistenz und längerer Batterielaufzeit.

MSC-Gleichmann Schweiz AG
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